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鉭電容新聞
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鉭電容的背景

    鉭電容的使用迄今已接近60年,鉭電容以長期可靠性和容值密度而著稱。它在軍用和商用航空電子、可植入醫(yī)療電子、筆記本電腦、智能手機(jī)及工業(yè)自動(dòng)化和控制系統(tǒng)設(shè)計(jì)中居于中心地位。
鉭電容受歡迎主要因素是其體積效率產(chǎn)生的高單位體積容值。
    容值公式:C=(kA)/d
    其中:C=容值,k=介電常數(shù),A=表面面積,d=電介質(zhì)厚度
    憑借極大的表面面積、高介電常數(shù)和相對(duì)較薄的電介質(zhì)層,鉭電容可在1µF至2,200µF容值范圍內(nèi)和最大50 V外加電壓條件提供最佳的容值密度。
    高級(jí)鉭粉和高效率封裝的結(jié)合使鉭電容領(lǐng)先于替代技術(shù)。比如,目前的鉭電容能以0402外殼尺寸在4V充電電壓下提供22µF容值。在電壓范圍另一端,可找到采用單個(gè)封裝,在50V充電電壓下提供47µF容值的鉭電容。傳統(tǒng)鉭電容的陰極系統(tǒng)使用二氧化錳(MnO2)材料。這種半導(dǎo)體材料提供自愈機(jī)制且相對(duì)便宜,但其富氧配方在高熱的極端環(huán)境中容易導(dǎo)致起火。自上世紀(jì)90年代中期以來,導(dǎo)電聚合物技術(shù)趨于成熟,與MnO2產(chǎn)品形成互補(bǔ)。導(dǎo)電率顯著高于MnO2,導(dǎo)電聚合物可降低ESR。這一進(jìn)展與消除敏感應(yīng)用中的起火危險(xiǎn)相結(jié)合,推動(dòng)了相關(guān)企業(yè)對(duì)這種技術(shù)的投資。
 
 
信息來源:鉭電容 AVX鉭電容 KEMET鉭電容
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