無源元件和互連解決方案領(lǐng)先的制造商AVX公司發(fā)表了新的技術(shù)論文，“多層有機(jī)(MLO™)電容器的介質(zhì)吸收，”宣布了跟相關(guān)的技術(shù)相比，其MLO電容器將顯示最低的介質(zhì)吸收 (DA)，因此非常適合于采樣保持電路。在采樣保持電路的保持時(shí)間中，電容器的電壓被假定為一個(gè)指定和預(yù)定的數(shù)字。但是，由于電介質(zhì)吸收的差異，電路可能容易受到電壓誤差。

　　基于MIL-C-19778測試中的介質(zhì)吸收測量表明了AVX的MLO電容器顯示 0.0015% 介質(zhì)吸收。為了進(jìn)行比較，具有非常低DA的鐵氟龍顯示了低于0.01%的DA，以及NP0陶瓷顯示了DA為0.6%。

　　AVX應(yīng)用工程師 Edgardo Menendez 表示：“由于AVX 專有的MLO材料技術(shù)，我們的MLO電容器具有超低DA, 低于許多其他電介質(zhì)技術(shù)，因此它們在DA很容易能夠?qū)е螺敵稣`差的采樣保持電路中是個(gè)理想的解決方案�！�

　　AVX的MLO電容器基于AVX專有MLO材料技術(shù)，并為了實(shí)現(xiàn)高Q就利用大面積制備技術(shù)與獨(dú)特集中元件的設(shè)計(jì)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。該MLO電容器是一個(gè)能夠在廣泛的頻率范圍之內(nèi)保持穩(wěn)定性的低損耗RF部件，匹配了大多部分的FR4印刷電路板以及可供額定值高達(dá)500V。

信息來自：鉭電容