我們知道每種電容都有它的頻率特性，那么AVX鉭電容的頻率特性是怎么樣的呢?AVX 鉭電容隨著頻率的增加有效電容的值會(huì)減小，直到共振達(dá)到(通常視0.5 - 5MHz 的之間該評(píng)級(jí))。

　　除了共振頻率的設(shè)備變得感性。除了100kHz 的電容繼續(xù)下降。下面以AVX 貼片鉭電容E型220UF 10V 規(guī)格為例，來(lái)說(shuō)明鉭電容的頻率特性AVX 鉭電容溫度特性曲線。

AVX 鉭電容的等效串聯(lián)電阻ESR

　　阻力損失發(fā)生在一切可行的形式電容器。這些都是由幾種不同的機(jī)制，包括電阻元件和觸點(diǎn)，粘性勢(shì)力內(nèi)介質(zhì)和生產(chǎn)旁路的缺陷電流路徑。為了表達(dá)對(duì)他們的這些損失的影響視為電容的ESR. ESR 的頻率依賴性和可利用的關(guān)系;ESR=譚δ2πfC 其中F 是赫茲的頻率，C 是電容法拉。ESR 是在25 ° C 和100kHz 的測(cè)量。ESR 是阻抗的因素之一，在高頻率(100kHz和以上)就變成了主導(dǎo)因素。從而ESR 和阻抗幾乎成了相同，阻抗僅小幅走高。

AVX 鉭電容的阻抗和ESR 的頻率依賴性

　　ESR 和阻抗都隨頻率的增加。在較低頻率值作為額外的貢獻(xiàn)分歧阻抗(由于電容器的電抗)變得更加重要。除了1MHz 的(和超越電容的諧振點(diǎn))阻抗再次增加由于電感，電容的。典型ESR 和阻抗值是類似的鉭，鈮氧化物材料，從而在相同的圖表都有效鉭電容和OxiCap電容器。AVX代理談鉭電容的阻抗與溫度的關(guān)系和ESR.在100kHz,阻抗和ESR 的行為相同，隨著溫度的升高下降的典型曲線

鉭電容的浪涌電壓

　　AVX鉭電容能承受的電壓和電流浪涌能力是有限的，這是基于所有電解電容的共同屬性，一個(gè)值夠高的電應(yīng)力會(huì)穿過電介質(zhì)，從而破壞了介質(zhì)。例如一個(gè)6 伏的鉭電容在額定電壓運(yùn)行時(shí)，有一個(gè)167 千伏/毫米電壓的電場(chǎng)。因此一定要確保整個(gè)電容器終端的電壓的決不會(huì)超過規(guī)定的浪涌電壓評(píng)級(jí)。作為鉭電容負(fù)極板層使用的半導(dǎo)體二氧化錳有自愈能力。

　　然而，這種低阻是有限的。在低阻抗電路的情況下，電容器可能被浪涌電流擊穿。降壓的電容，增加了元件的可靠性。額定電壓使用上常見的電壓軌跡，低阻抗鉭電容在電路進(jìn)行快速充電或放電時(shí)，保護(hù)電阻建議為1Ω/ V.如果達(dá)不到此要求應(yīng)使用鉭電容器降壓系數(shù)高達(dá)70%.在這種情況下，可能需要更高的電壓比作為一個(gè)單一的電容。 A 系列組合應(yīng)被用來(lái)增加工作電壓的等效電容器：

　　例如，兩個(gè)22μF25V 系列部分相當(dāng)于一個(gè)11μF50V 的一部分。

　　是指電容在很短的時(shí)間經(jīng)過最小的串聯(lián)電阻的電路33Ohms(CECC 國(guó)家1KΩ)能承受的最高電壓。浪涌電壓，常溫下一個(gè)小時(shí)時(shí)間內(nèi)可達(dá)到高達(dá)10 倍額度電壓并高達(dá)30 秒的時(shí)間。浪涌電壓只作為參考參數(shù)，不能用作電路設(shè)計(jì)的依據(jù)，在正常運(yùn)行過程中，電容應(yīng)定期充電和放電。

　　不同溫度下浪涌電壓的值是不一樣的，在85 度及以下溫度時(shí)，分類電壓VC 等于額定電壓VR,浪涌電壓VS 等于額度電壓VR 的1.3 倍;在85 到125 度時(shí)，分類電壓VC 等于額定電壓VR 的0.66 倍，浪涌電壓VS 等于分類電壓VC 的1.3 倍。

信息來(lái)自：鉭電容  陶瓷電容  二、三極管  晶體振蕩器